IPP50R380CEXKSA1、SIHP12N50E-GE3对比区别

高亮显示差异参数

型号 IPP50R380CEXKSA1 SIHP12N50E-GE3

描述 Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50R380CEXKSA1, 10.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装晶体管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.35 Ω 0.33 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 98 W 114 W

阈值电压 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 10.6A 10.5A

上升时间 5.6 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 700pF @100V(Vds) 886pF @100V(Vds)

下降时间 8.6 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 73 W 114000 mW

额定功率 73 W -

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.36 mm -

宽度 4.57 mm -

高度 15.95 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

最小包装 - 50

产品生命周期 Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free