STP20NF06L、STP5NK100Z、STP20NE06L对比区别

高亮显示差异参数

型号 STP20NF06L STP5NK100Z STP20NE06L

描述 STMICROELECTRONICS  STP20NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 60 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STP5NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VN - CHANNEL 60V - 0.06欧姆 - 20A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 60.0 V 1.00 kV 60.0 V

额定电流 20.0 A 3.50 A 20.0 A

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.06 Ω 3.7 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 60 W 125 W 70 W

阈值电压 3 V 3.75 V -

输入电容 400 pF - -

漏源极电压(Vds) 60 V 1 kV 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 1.00 kV -

栅源击穿电压 ±18.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 3.50 A 20.0 A

上升时间 30 ns 7.7 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 60 W 125 W 70 W

下降时间 6 ns 19 ns 25 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 60000 mW 125W (Tc) 70W (Tc)

额定功率 - 125 W 70 W

长度 10.4 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.6 mm

高度 15.75 mm 9.15 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -