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2N7002、2SK3019、U1898对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002 2SK3019 U1898

描述 Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3Pin SOT-23 T/R2SK3019 N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-523/SC-75/EMT3 marking/标记 KN 低导通电阻/高速度开关/低电压驱动N沟道开关 N-Channel Switch

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 分立器件MOS管JFET晶体管

基础参数对比

封装 - SOT-523 TO-226-3

安装方式 - - Through Hole

引脚数 - - 3

封装 - SOT-523 TO-226-3

高度 - - 5.33 mm

产品生命周期 Active Not Recommended Obsolete

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 30.0 mA

击穿电压 - - -40.0 V

漏源极电阻 - - 50 Ω

极性 - - N-Channel

耗散功率 - - 625 mW

漏源极电压(Vds) - - 40.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 50.0 mA

击穿电压 - - 40 V

输入电容(Ciss) - - 16pF @20V(Vds)

额定功率(Max) - - 625 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 625 mW

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

HTS代码 85412100959 - -