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GS8342TT11BGD-500I、T1-1、GS8342TT11BD-500I对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS8342TT11BGD-500I T1-1 GS8342TT11BD-500I

描述 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 9 36MDDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 9 36M

数据手册 ---

制造商 GSI GSI GSI

分类 RAM芯片

基础参数对比

封装 BGA-165 LBGA BGA-165

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

封装 BGA-165 LBGA BGA-165

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

工作温度 -40℃ ~ 100℃ - -