APT26M100JCU3、IXFN30N110P、APT26M100JCU2对比区别

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型号 APT26M100JCU3 IXFN30N110P APT26M100JCU2

描述 ISOTOP®降压斩波MOSFET和SiC二极管斩波模块电源 ISOTOP® Buck chopper MOSFET + SiC chopper diode Power moduleSOT-227B N-CH 1100V 25AISOTOP ？升压斩波MOSFET和SiC二极管斩波模块电源 ISOTOP? Boost chopper MOSFET + SiC chopper diode Power module

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Screw Chassis Chassis

引脚数 4 - 4

封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227-4

耗散功率 - 695W (Tc) 543W (Tc)

漏源极电压(Vds) - 1100 V 1000 V

上升时间 - - 40 ns

输入电容(Ciss) - 13600pF @25V(Vds) 7868pF @25V(Vds)

下降时间 - - 38 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

耗散功率(Max) 543000 mW 695W (Tc) 543W (Tc)

极性 - N-CH -

连续漏极电流(Ids) - 25A -

额定功率(Max) - 695 W -

封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227-4

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free