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70V657S10BFG、70V657S10DRG、70V657S10BFG8对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V657S10BFG 70V657S10DRG 70V657S10BFG8

描述 SRAM Chip Async Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 10ns 208Pin CABGA TrayIC SRAM 1.125Mbit 10NS 208QFP静态随机存取存储器 32Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 208 208 208

封装 LFBGA-208 BFQFP-208 CABGA-208

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

存取时间 10 ns - -

电源电压(Max) 3.45 V - -

电源电压(Min) 3.15 V - -

长度 15.0 mm 28.0 mm 15 mm

宽度 15 mm 28.0 mm 15 mm

封装 LFBGA-208 BFQFP-208 CABGA-208

厚度 1.40 mm 3.50 mm 1.40 mm

高度 - - 1.4 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -