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IRF5305S、IRF5305STRLPBF、IRF5305SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF5305S IRF5305STRLPBF IRF5305SPBF

描述 D2PAK P-CH 55V 31AINFINEON  IRF5305STRLPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 0.06 ohm, -10 V, -4 V 新MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -55V; RDS(ON) 0.06Ω; ID -31A; D2Pak; PD 110W; VGS +/-20V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263 TO-263-3 TO-252-3

额定电压(DC) -55.0 V - -55.0 V

额定电流 -31.0 A - -31.0 A

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.06 Ω 0.06 Ω

极性 P-Channel P-CH P-Channel

耗散功率 110 W 110 W 110 W

产品系列 IRF5305S - IRF5305S

漏源极电压(Vds) 55.0 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 -55.0 V - -55.0 V

连续漏极电流(Ids) 31.0 A 31A -31.0 A

上升时间 66 ns 66 ns 66.0 ns

输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.8 W 3.8 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

下降时间 63 ns 63 ns -

耗散功率(Max) 3800 mW 3.8W (Ta), 110W (Tc) -

额定功率 - 110 W -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 1200 pF -

长度 - 10.67 mm 10.67 mm

高度 - 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263 TO-263-3 TO-252-3

宽度 - 9.65 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99