DDTB113EU-7、DDTB113EU-7-F、DTB113E对比区别

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型号 DDTB113EU-7 DDTB113EU-7-F DTB113E

描述 Pre-Bias TransistorsPNP - 预偏压 500mA 50VSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 -

极性 PNP PNP -

耗散功率 - 0.2 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 500mA 500mA -

最小电流放大倍数(hFE) 33 33 @50mA, 5V -

额定功率(Max) - 200 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

增益带宽 - 200 MHz -

耗散功率(Max) - 200 mW -

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 -

长度 2.2 mm - -

宽度 1.35 mm - -

高度 1 mm - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -