PDTA115ET,215、PDTA115EM,315、PDTA115ET对比区别

高亮显示差异参数

型号 PDTA115ET,215 PDTA115EM,315 PDTA115ET

描述 NXP  PDTA115ET,215  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -20 mA, 80 hFEDFN PNP 50V 20mANXP  PDTA115ET  单晶体管 双极, BRT, PNP, 50 V, 250 mW, 100 mA, 80 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-883 SOT-23

针脚数 3 - 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 250 mW 250 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 20mA 20mA 20mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 5V 80 @5mA, 5V 80

额定功率(Max) 250 mW 250 mW -

直流电流增益(hFE) 80 - 80

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW -

高度 1 mm 0.47 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-883 SOT-23

长度 - - 3 mm

宽度 - - 1.4 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17