FDB8442、NP80N04PUG-E1B-AY、NP80N04PLG-E1B-AY对比区别

高亮显示差异参数

型号 FDB8442 NP80N04PUG-E1B-AY NP80N04PLG-E1B-AY

描述 N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFETMOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTORMOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 2 - -

耗散功率 254 W 1.8W (Ta), 115W (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

输入电容(Ciss) 12200pF @25V(Vds) 7350pF @25V(Vds) 6900pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 254W (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc)

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 80.0 A - -

漏源极电阻 0.0021 Ω - -

极性 N-Channel - -

阈值电压 2.9 V - -

栅电荷 230 nC - -

漏源击穿电压 40.0 V - -

栅源击穿电压 40.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A - -

上升时间 19.3 ns - -

额定功率(Max) 254 W - -

下降时间 17.2 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm - -

宽度 9.65 mm - -

高度 4.83 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -