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BFR92AWT/R、BFR92A,215、BFR92AW,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFR92AWT/R BFR92A,215 BFR92AW,115

描述 NPN 5GHz wideband transistor - @ f: 1000MHz; @ f1: 1000 ; @ f2: 2000 ; fT: 5GHz; Frequency: 3MHz; GUM @ f1: 14dB; Gain @ 900MHz: 14dB; IC: 25mA; Noise figure: 3@f22@f1 dB; PBFR92A,215 , NPN 射频双极晶体管, 0.025 A, Vce=15 V, HFE:40, 5000 MHz, 3针 SOT-23封装NXP  BFR92AW,115  晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-323 SOT-23-3 SOT-323-3

频率 - 5000 MHz 5000 MHz

针脚数 - - 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 300 mW 300 mW

输入电容 - - 0.9 pF

击穿电压(集电极-发射极) - 15 V 15 V

增益 - - 14dB ~ 8dB

最小电流放大倍数(hFE) - 65 @15mA, 10V 65 @15mA, 10V

测试频率 - - 1 GHz

额定功率(Max) - 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - 90 90

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 40 -

额定电压(DC) 15.0 V - -

额定电流 25.0 mA - -

封装 SOT-323 SOT-23-3 SOT-323-3

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 - 175℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99