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BC557BU、BC560BU、BC557BG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC557BU BC560BU BC557BG

描述 Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3Pin TO-92 Bulk双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor EpitaxialPNP 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

频率 - - 320 MHz

额定电压(DC) -45.0 V - -45.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 500 mW 0.625 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 110 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V 180 @2mA, 5V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 625 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - - 625 mW

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Bulk - Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99