CY7C1518AV18-250BZXI、CY7C1518KV18-250BZXI、GS8662T18BD-250I对比区别

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型号 CY7C1518AV18-250BZXI CY7C1518KV18-250BZXI GS8662T18BD-250I

描述 72兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture72兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA-165

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 165 165 -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

时钟频率 - 250 MHz -

位数 18 18 -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V -

封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA-165

高度 0.89 mm 0.89 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tray Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -

ECCN代码 - 3A991.b.2.a -