BSS215PH6327、FDN308P对比区别

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型号 BSS215PH6327 FDN308P

描述 20V,-1.5A,P沟道功率MOSFETON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN308P, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3

额定电压(DC) - -

额定电流 - -

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.125 Ω

极性 P-Channel -

耗散功率 0.5 W 0.5 W

输入电容 - -

栅电荷 - -

漏源极电压(Vds) - 20 V

栅源击穿电压 - -

连续漏极电流(Ids) - -

上升时间 - 10 ns

输入电容(Ciss) - 341pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 460 mW

下降时间 - 8 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW

长度 - 2.92 mm

宽度 - 1.4 mm

高度 - 0.94 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 - -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 - -

ECCN代码 - -