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CY7C198-55DMB、IDT71256S55TDB、5962-8866203XA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C198-55DMB IDT71256S55TDB 5962-8866203XA

描述 SRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 55ns 28Pin CDIPCMOS静态RAM 256K ( 32K ×8位) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)5V 32K x 8 Asynchronous Static RAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 28 - 28

封装 CDIP DIP CDIP

供电电流 160 mA - -

位数 8 - -

存取时间 55 ns - -

存取时间(Max) 55 ns - -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 CDIP DIP CDIP

长度 - - 37.2 mm

宽度 - - 15.2 mm

厚度 - - 1.65 mm

工作温度 -55℃ ~ 125℃ - -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 Non-Compliant - -

军工级 Yes - -

含铅标准 - - Contains Lead

ECCN代码 - 3A001 3A001