STGB20NB37LZT4、STGB20NB41LZT4、STGB20NB37LZ对比区别

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型号 STGB20NB37LZT4 STGB20NB41LZT4 STGB20NB37LZ

描述 STGB20NB37LZ 系列 N沟道 425 V 20 A 内部钳位 PowerMESH IGBT-D2PAKSTGB20NB41LZ 系列 N-沟道 442 V 20 A 内部钳位 PowerMESH IGBT-D2PAKN沟道固支20A - D2PAK内部钳位的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH TM IGBT

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电流 20.0 A 20.0 A -

耗散功率 200 W 200 W 200000 mW

连续漏极电流(Ids) 20.0 A - -

击穿电压(集电极-发射极) 425 V 442 V 425 V

额定功率(Max) 200 W 200 W 200 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 200000 mW 200000 mW

额定电压(DC) - 20.0 V -

针脚数 - 3 -

输入电容 - 2300 pF -

上升时间 - 220 ns -

热阻 - 62.5 ℃/W -

长度 10.4 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 9.35 mm 9.35 mm 9.35 mm

高度 4.6 mm 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99