6116SA120TDB、IDT6116LA120TDB、6116LA120TDB对比区别

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型号 6116SA120TDB IDT6116LA120TDB 6116LA120TDB

描述 5V 2K x 8 Asynchronous Static RAMCMOS静态RAM 16K （ 2K ×8位） CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 CDIP CDIP CDIP-24

引脚数 24 - 24

封装 CDIP CDIP CDIP-24

长度 32.5 mm - 32.51 mm

宽度 7.62 mm - 7.62 mm

厚度 3.56 mm - 3.56 mm

高度 - - 3.56 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead

ECCN代码 - 3A001 -

存取时间 - - 120 ns

工作温度(Max) - - 125 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

电源电压 - - 5 V

工作温度 - - -55℃ ~ 125℃