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BUK7208-40B,118、FDD8647L、FDD8447L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK7208-40B,118 FDD8647L FDD8447L

描述 DPAK N-CH 40V 105AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8647L  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 40 V, 0.0071 ohm, 10 V, 2 VN 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.0071 Ω 7 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 167 W 43 W 3.8 W

阈值电压 - 2 V 1.9 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 105A 14A 15.2 A

上升时间 104 ns 3 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 2493pF @25V(Vds) 1640pF @20V(Vds) 1970pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 167 W 3.1 W 1.3 W

下降时间 51 ns 2 ns 9 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 167W (Tc) 3.1W (Ta), 43W (Tc) 44 W

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 54.0 A

通道数 - - 1

输入电容 - - 1.97 nF

栅电荷 - - 52.0 nC

漏源击穿电压 - - 40 V

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 185℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99