IRF5802TRPBF、SI3442BDV-T1-E3对比区别

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型号 IRF5802TRPBF SI3442BDV-T1-E3

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF5802TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 900mA, TSOPN沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 TSOP-6 TSOP-6

针脚数 6 6

漏源极电阻 1.2 Ω 0.045 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2 W 1.67 W

产品系列 IRF5802 -

阈值电压 5.5 V 1.8 V

输入电容 88pF @25V -

漏源极电压(Vds) 150 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 900 mA 3.00 A

输入电容(Ciss) 88pF @25V(Vds) 295pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 860 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

漏源击穿电压 - 20.0 V

栅源击穿电压 - ±12.0 V

上升时间 - 50 ns

下降时间 - 15 ns

耗散功率(Max) - 1670 mW

额定功率 - -

通道数 - -

长度 3 mm 3.05 mm

高度 1 mm 1 mm

封装 TSOP-6 TSOP-6

宽度 - 1.65 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 -