IXSK50N60BU1、IXXK100N60B3H1对比区别

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型号 IXSK50N60BU1 IXXK100N60B3H1

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-264AATrans IGBT Chip N-CH 600V 200A 695000mW Automotive 3Pin TO-264

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-264-3 TO-264-3

耗散功率 300000 mW 695 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

反向恢复时间 50 ns 140 ns

额定功率(Max) 300 W 695 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300000 mW 695000 mW

长度 19.96 mm 20.29 mm

宽度 5.13 mm 5.31 mm

高度 26.16 mm 26.59 mm

封装 TO-264-3 TO-264-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free