IRF1104PBF、STP95N4F3、STP100NF04对比区别
型号 IRF1104PBF STP95N4F3 STP100NF04
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1104PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 40V, 100A, TO-220AB 新STMICROELECTRONICS STP95N4F3 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 9 mΩ 0.0054 Ω 0.0046 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 170 W 110 W 300 W
阈值电压 4 V 2 V 4 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
漏源击穿电压 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 100 A 80A 120 A
上升时间 - 50 ns 220 ns
输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 170 W 110 W 300 W
下降时间 - 15 ns 50 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 300000 mW
额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V
额定电流 100 A - 120 A
产品系列 IRF1104 - -
输入电容 2900pF @25V - -
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 10.54 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 15.24 mm 15.75 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99