DS1230AB-200IND、DS1230AB-200IND+、DS1230AB-70IND+对比区别

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型号 DS1230AB-200IND DS1230AB-200IND+ DS1230AB-70IND+

描述 IC NVSRAM 256Kbit 200NS 28DIPNon-Volatile SRAM Module, 32KX8, 200ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230AB-70IND+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 28 - 28

封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) - 4.75V (min)

时钟频率 200 GHz - -

存取时间 200 ns 200 ns 70 ns

内存容量 256000 B - 32000 B

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

针脚数 - - 28

电源电压(Max) - - 5.25 V

电源电压(Min) - - 4.75 V

封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28

长度 - 39.12 mm 39.12 mm

宽度 - 18.8 mm 18.8 mm

高度 - 9.4 mm 9.4 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube, Rail Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free