SI4511DY-T1-GE3、SI4539ADY-T1-GE3、NDS8858H对比区别
型号 SI4511DY-T1-GE3 SI4539ADY-T1-GE3 NDS8858H
描述 MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOICMOSFET 30V 5.9/4.9A 2W 36/53mohm @ 10VComplementry MOSFET半桥 Complementry MOSFET Half Bridge
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
耗散功率 - 1.1 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 30 V
额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W 1 W
额定电流 - - 4.80 A
漏源极电阻 - - 0.035 Ω
极性 - - N-Channel, P-Channel
阈值电压 - - 1.6 V
漏源击穿电压 - - 30.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 6.30 A
输入电容(Ciss) - - 720pF @15V(Vds)
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 4.9 mm - -
宽度 3.9 mm - -
高度 1.75 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99