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IXGH36N60A3、IXGH38N60、IXGH20N60A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXGH36N60A3 IXGH38N60 IXGH20N60A

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 36A 220000mW 3Pin(3+Tab) TO-247Trans IGBT Chip N-CH 600V 76A 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin(3+Tab) TO-247AD

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 3 - -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 220 W 200 W 150 W

耗散功率 220000 mW - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 220000 mW - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -