IXFN100N50P、IXFN100N50Q3、VMO80-05P1对比区别
型号 IXFN100N50P IXFN100N50Q3 VMO80-05P1
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN100N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 100 A, 500 V, 49 mohm, 10 V, 5 VN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Mosfet n-Ch Eco-Pac2
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Chassis Surface Mount Chassis
引脚数 4 4 -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ECO-PAC2
额定功率 1.04 kW - -
通道数 1 1 -
针脚数 4 - -
漏源极电阻 0.049 Ω - -
极性 N-Channel N-CH -
耗散功率 1.04 kW 960W (Tc) -
阈值电压 5 V - -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -
漏源击穿电压 500 V - -
连续漏极电流(Ids) 100 A 82A -
上升时间 29 ns 20 ns -
输入电容(Ciss) 20000pF @25V(Vds) 13800pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 1040 W - -
下降时间 26 ns 15 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1040W (Tc) 960W (Tc) -
长度 38.23 mm 38.23 mm -
宽度 25.42 mm 25.07 mm -
高度 9.6 mm 9.6 mm -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ECO-PAC2
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -