L6384ED、L6384ED013TR、L6384D对比区别

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型号 L6384ED L6384ED013TR L6384D

描述 STMICROELECTRONICS  L6384ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 半桥, 11.5V-16.6V电源, 650mA输出, 200ns延迟, SOIC-8L6384 系列 双通道 400 mA 125Ω 高压 半桥 驱动器 - SOIC-8HIGH- VOLTAGE半桥驱动器 HIGH-VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVER

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

频率 0.4 MHz 0.4 MHz -

电源电压(DC) 11.5V (min) - 16.6V (max)

上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns

输出接口数 2 2 2

针脚数 8 8 -

耗散功率 0.75 W 0.75 W 750 mW

上升时间 50 ns 50 ns 70 ns

输出电流(Max) 0.65 A 0.65 A -

下降时间 30 ns 30 ns 30 ns

下降时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns

上升时间(Max) 50 ns 50 ns 70 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -45 ℃ -45 ℃ 45 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

电源电压 14.6V ~ 16.6V 8V ~ 16.6V 14.6V ~ 16.6V

电源电压(Max) 16.6 V 16.6 V 16.6 V

电源电压(Min) 11.5 V 11.5 V 8 V

输出电压 - - 580 V

输出电流 - - 650 mA

静态电流 - 380 µA -

开关频率 - 400 kHz -

长度 4.9 mm 5 mm 5 mm

宽度 3.9 mm 4 mm 4 mm

高度 1.25 mm 1.5 mm 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

工作温度 -45℃ ~ 125℃ (TJ) -45℃ ~ 125℃ -45℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -