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AOTF20S60L、STI23NM60N、STW23NM60ND对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AOTF20S60L STI23NM60N STW23NM60ND

描述 二极管与整流器N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ,第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFETN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-247-3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 37.8W (Tc) 150 W 150W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 20A 9.50 A -

上升时间 32 ns 15 ns 19 ns

输入电容(Ciss) 1038pF @100V(Vds) 2050pF @50V(Vds) 2050pF @50V(Vds)

下降时间 30 ns 36 ns 42 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 37.8W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)

额定功率(Max) - - 150 W

长度 - 10 mm 15.75 mm

宽度 - 4.4 mm 5.15 mm

高度 - 8.95 mm 20.15 mm

封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17