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M29W800DB70ZM6E、M29W800DB70ZM6F TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M29W800DB70ZM6E M29W800DB70ZM6F TR

描述 NAND Flash Parallel 3.3V 8M-bit 1M x 8/512K x 16 70ns 44Pin SOIC FLASH 8Mbit 70NS 44SO

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 - -

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

封装 - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 无铅 无铅