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MSMLJ120AE3、MSMLJ120AE3TR、MSMLJ120AE3/TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MSMLJ120AE3 MSMLJ120AE3TR MSMLJ120AE3/TR

描述 DO-214AB 120V 3000WDO-214AB 120V 3000WTrans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 120V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMLJ, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 2 - -

封装 DO-214AB-2 DO-214AB -

钳位电压 193 V - -

最大反向电压(Vrrm) 120V 120V -

测试电流 1 mA - -

脉冲峰值功率 3000 W 3000 W -

最小反向击穿电压 133 V - -

击穿电压 133 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 DO-214AB-2 DO-214AB -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free