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SI7946DP-T1-E3、SI7946DP-T1-GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI7946DP-T1-E3 SI7946DP-T1-GE3

描述 MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOICMOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SO-8

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

额定功率(Max) 1.4 W 1.4 W

封装 SO-8 SO-8

长度 6.15 mm -

宽度 5.15 mm -

高度 1.04 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free