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JANS2N4150S、JANTX2N4150S、2N4150S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N4150S JANTX2N4150S 2N4150S

描述 Bipolar Transistors - BJT NPN TransistorTrans GP BJT NPN 70V 10A 3Pin TO-39NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-39 TO-39 TO-39

引脚数 - 3 -

封装 TO-39 TO-39 TO-39

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bag -

耗散功率 - 1 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 70 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @5A, 5V -

额定功率(Max) - 1 W -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1000 mW -

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -