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JAN2N1890、JAN2N4238、2N3057A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N1890 JAN2N4238 2N3057A

描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORTrans Npn 60V 1A To39低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-5 TO-205 TO-46-3

引脚数 - - 3

极性 NPN - -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 80 V

集电极最大允许电流 0.5A - -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @250mA, 1V 50 @500mA, 10V

额定功率(Max) - 1 W 500 mW

耗散功率 - - 500 mW

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 500 mW

封装 TO-5 TO-205 TO-46-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 - - Silicon

ECCN代码 - - EAR99