IRLL024NPBF、STN3NF06L、IRLL024NTRPBF对比区别

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型号 IRLL024NPBF STN3NF06L IRLL024NTRPBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLL024NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 3.1A SOT-223 新STMICROELECTRONICS  STN3NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 VINFINEON  IRLL024NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 3

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

额定功率 - 3.3 W 2.1 W

针脚数 3 4 3

漏源极电阻 0.1 Ω 0.07 Ω 0.065 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2.1 W 3.3 W 1 W

阈值电压 - 2.8 V 2 V

输入电容 510pF @25V - 510 pF

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 55 V 60.0 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 3.10 A 4.00 A 4.4A

上升时间 21.0 ns 25 ns 21 ns

输入电容(Ciss) 510pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds) 510pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 3.3 W 1 W

下降时间 - 10 ns 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 3.3W (Tc) 1W (Ta)

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V -

额定电流 3.10 A 4.00 A -

通道数 1 1 -

栅源击穿电压 - ±16.0 V -

产品系列 IRLL024N - -

长度 6.7 mm 6.5 mm 6.7 mm

宽度 - 3.5 mm 3.7 mm

高度 1.45 mm 1.8 mm 1.739 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2018/01/15 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -