STB50NF25、STP50NF25、FDB33N25TM对比区别

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型号 STB50NF25 STP50NF25 FDB33N25TM

描述 STMICROELECTRONICS  STB50NF25  晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 250 V, 55 mohm, 10 V, 3 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronicsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB33N25TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 250 V, 0.077 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

通道数 1 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 55 mΩ 0.055 Ω 0.077 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 160 W 160 W 235 W

阈值电压 3 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 22.0 A 22.0 A 33A

上升时间 26 ns 26 ns 230 ns

输入电容(Ciss) 2670pF @25V(Vds) 2670pF @25V(Vds) 2135pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 160 W 160 W 235 W

下降时间 20 ns 20 ns 120 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 160W (Tc) 160W (Tc) 235W (Tc)

漏源击穿电压 250 V - 250 V

长度 10.4 mm 10.4 mm 10.67 mm

宽度 9.35 mm 4.6 mm 11.33 mm

高度 4.6 mm 15.75 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99