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IS43LR16200C-6BLI、IS43LR16200D-6BLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43LR16200C-6BLI IS43LR16200D-6BLI

描述 IC DDR 32M 166MHz 60BGA32m, 1.8V, Mobile Ddr, 2mx16, 166MHz, 60 Ball Bga (8mmx10mm) Rohs, It

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TFBGA-60 TFBGA-60

位数 - 16

存取时间 - 5.5 ns

存取时间(Max) - 6 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

封装 TFBGA-60 TFBGA-60

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅