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71V2546S100BGI、71V2546S100BGI8对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V2546S100BGI 71V2546S100BGI8

描述 IC SRAM 4.5Mbit 100MHz 119BGA静态随机存取存储器 4MEG ZBT W/ 2.5V I/O

数据手册 --

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 119 119

封装 BGA-119 PBGA-119

存取时间 - 3.8 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

长度 14.0 mm 14 mm

宽度 22.0 mm 22 mm

高度 - 2.15 mm

封装 BGA-119 PBGA-119

厚度 2.15 mm 2.15 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube, Rail Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead