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IRF7509、IRF7509PBF、IRF7105TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7509 IRF7509PBF IRF7105TRPBF

描述 Micro N+P 30V 2.7A/2AINFINEON  IRF7509PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.7 A, 30 V, 110 mohm, 10 V, 1 VINFINEON  IRF7105TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.5 A, 25 V, 0.083 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 Micro-8 µSOIC SOIC-8

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 8

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 110 mΩ 0.083 Ω

极性 N+P N+P N-Channel, P-Channel

耗散功率 - 1.25 W 2 W

阈值电压 - 1 V 3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 2.7A/2A 2.7A/2A 3.5A/2.3A

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

额定功率 - - 2 W

输入电容(Ciss) - - 330pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 2 W

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 2 W

封装 Micro-8 µSOIC SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)