SST25VF016B-50-4C-QAF、SST25VF016B-50-4C-QAF-T、SST26VF016B-104I/SM对比区别
型号 SST25VF016B-50-4C-QAF SST25VF016B-50-4C-QAF-T SST26VF016B-104I/SM
描述 SST25VF系列 16Mb 2 Mx8 3V 表面贴装 SPI 串行闪存-WSON-8Flash Serial-SPI 3.3V 16Mbit 2M x 8Bit 8ns 8Pin WSON EP T/RSST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 (SQI) SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ (SQI™) SuperFlash® 存储 IC，具有六线、4 位输入/输出接口，允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place (XIP) 功能，带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能，用于传统串行外围接口 (SPI) 协议。 通过使用 SuperFlash® 技术，这些设备可提供卓越的擦除时间，与其他闪存备选设备相比，非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成，全芯片擦除操作通常需要 35 ms。### 特点串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出，带 SPI 串行命令结构 x1/x2/x4 串行外围接口 (SPI) 协议 高速时钟频率 - 最大 104 MHz 脉冲串模式 低功耗 – 有源读取 15 mA（104 MHz 时典型），待机 15 μA（典型） 快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型）；芯片擦除 35 ms（典型） 灵活的擦除能力 软件写入保护 ### 闪存，Microchip
数据手册 ---
制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)
分类 Flash芯片存储芯片Flash芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 WSON-8 WSON-8 SOIC-8
供电电流 15 mA - -
针脚数 8 - 8
时钟频率 50 MHz 50 MHz 104 MHz
位数 8 8 -
存取时间(Max) 8 ns 8 ns 8 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V 2.7 V
工作电压 - - 2.7V ~ 3.6V
封装 WSON-8 WSON-8 SOIC-8
长度 - - 5.26 mm
宽度 - - 5.25 mm
高度 - - 1.98 mm
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 3A991.b.1.a - 3A991.b.1.a