V20200C-E3/4W、VI20200C-E3/4W、SDB20200DI对比区别

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型号 V20200C-E3/4W VI20200C-E3/4W SDB20200DI

描述 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.60 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.60 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 AHIGH VOLTAGE SCHOTTKY RECTIFIER

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Kodenshi

分类 二极管阵列二极管阵列

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220-3 TO-262-3 -

正向电压 1.6V @10A 1.6V @10A -

封装 TO-220-3 TO-262-3 -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -