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BSM50GD120DLC、BSM50GD120DN2、BSM50GD120DN2G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSM50GD120DLC BSM50GD120DN2 BSM50GD120DN2G

描述 Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 85A 17Pin EconoPACK 2AINFINEON  BSM50GD120DN2  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACKIGBT的功率模块(电源模块3相全桥包括快速续流二极管) IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw Screw

引脚数 17 17 21

封装 EconoPACK 2A EconoPACK2 ECONO-3

额定功率 - 350 W -

针脚数 - 17 -

极性 - N-Channel -

耗散功率 350 W 350 W 400 W

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 150 ℃

击穿电压(集电极-发射极) - - 1200 V

输入电容(Cies) - - 33nF @25V

额定功率(Max) - - 400 W

工作温度(Min) 40 ℃ - -40 ℃

耗散功率(Max) - - 400000 mW

封装 EconoPACK 2A EconoPACK2 ECONO-3

长度 107.5 mm - 122 mm

宽度 45 mm - 62 mm

高度 17 mm - 17 mm

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Design Obsolete

包装方式 Bulk Box -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -