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TC8020K6-G、TC8020K6-G-M937对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TC8020K6-G TC8020K6-G-M937

描述 QFN N+P 200VQFN N+P 200V

数据手册 --

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 56 56

封装 QFN-56 QFN-56

极性 N+P N+P

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

上升时间 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds)

下降时间 15 ns 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

封装 QFN-56 QFN-56

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free