CY7C15632KV18-450BZXC、CY7C15632KV18-450BZXI、CY7C15632KV18-450BZC对比区别

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型号 CY7C15632KV18-450BZXC CY7C15632KV18-450BZXI CY7C15632KV18-450BZC

描述 72兆位QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟） 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)72兆位QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟） 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)72兆位QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟） 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

位数 18 18 18

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

存取时间 0.45 ns 0.45 ns -

时钟频率 450 MHz - -

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

高度 0.89 mm 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a