1N5531B、JAN1N5531B-1、1N5531B-1对比区别

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型号 1N5531B JAN1N5531B-1 1N5531B-1

描述 低反向漏电流特性 LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW11V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 - -

封装 DO-35 DO-35-2 -

测试电流 1 mA - -

稳压值 11 V 11 V 11 V

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

耗散功率 - - 500 mW

封装 DO-35 DO-35-2 -

长度 - 5.08 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -