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TSX712IST、TSX712IYST对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TSX712IST TSX712IYST

描述 TSX711、TSX712、精密、轨对轨输入/输出、16 V CMOS 运算放大器低输入偏置电压:最大 200 μV 低电流消耗:最大 800 μA 益带宽产品:2.7 MHz 电源操作范围 2.7 V 至 16 V ESD 高容差:4 kV (HBM) 扩展温度范围:-40°C 至 +125°C 汽车资格 ### 运算放大器,STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  TSX712IYST  芯片, 运算放大器, AECQ100, 2.7MHZ, MINISOIC-8 新

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 68mA @16V 68mA @16V

供电电流 900 µA 900 µA

电路数 2 2

针脚数 8 8

共模抑制比 94 dB 94 dB

带宽 2.7 MHz 2.7 MHz

转换速率 1.40 V/μs 1.40 V/μs

增益频宽积 2.7 MHz 2.7 MHz

输入偏置电流 0.000001μA @16V 200 pA

输入电压(Max) 16 V 16 V

输入电压(Min) 2.7 V 2.7 V

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) 94 dB 94 dB

电源电压 2.7V ~ 16V 2.7V ~ 16V

输入电压 2.7V ~ 16V 2.7V ~ 16V

长度 3.2 mm 3.2 mm

宽度 3.1 mm 3.1 mm

高度 0.95 mm 0.95 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99