IRFR1N60ATRL、SIHFR1N60A-GE3、IRFR1N60A对比区别

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型号 IRFR1N60ATRL SIHFR1N60A-GE3 IRFR1N60A

描述 Mosfet n-Ch 600V 1.4A DpakMOS Power Transistors HV (>= 200V)MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

耗散功率 36W (Tc) 36W (Tc) 36W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

输入电容(Ciss) 229pF @25V(Vds) 229pF @25V(Vds) 229pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 36 W

耗散功率(Max) 36W (Tc) 36W (Tc) 36W (Tc)

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead