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NCV2902DR2G、TSH24ID、LM324ADT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NCV2902DR2G TSH24ID LM324ADT

描述 ON SEMICONDUCTOR  NCV2902DR2G  运算放大器, 四路, 1 MHz, 4个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 32V, SOIC, 14 引脚STMICROELECTRONICS  TSH24ID  运算放大器, 四路, 25 MHz, 4个放大器, 15 V/µs, ± 1.5V 至 ± 15V, SOIC, 14 引脚STMICROELECTRONICS  LM324ADT  运算放大器, 四路, 1.3 MHz, 4个放大器, 0.4 V/µs, ± 1.5V 至 ± 15V, SOIC, 14 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 14 14

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

无卤素状态 Halogen Free - -

输出电流 40mA @5V - 70 mA

供电电流 1.4 mA 2.15 mA 1.5 mA

电路数 4 4 4

通道数 4 4 4

针脚数 14 14 14

共模抑制比 70 dB 80 dB 80 dB

带宽 1 MHz 25 MHz 1.3 MHz

转换速率 600 mV/μs 15.0 V/μs 400 mV/μs

增益频宽积 1 MHz 25 MHz 1.3 MHz

输入补偿电压 2 mV 2.5 mV 2 mV

输入偏置电流 90 nA 100 nA 20 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 1 MHz 25 MHz 1.3 MHz

共模抑制比(Min) 50 dB 80 dB 70 dB

电源电压 3V ~ 32V - 3V ~ 30V

电源电压(DC) - - 32.0 V

工作电压 - - 3V ~ 32V

耗散功率 - 500 mW 400 mW

耗散功率(Max) - 500 mW 400 mW

电源电压(Max) - 30 V -

电源电压(Min) - 3 V -

长度 8.75 mm 8.75 mm 8.75 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.65 mm 1.65 mm

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99