503SP、IRF1503S、IRF1503STRLPBF对比区别

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型号 503SP IRF1503S IRF1503STRLPBF

描述 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3D2PAK N-CH 30V 190AD2PAK N-CH 30V 190A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 - TO-263 TO-263-3

额定功率 - - 200 W

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 - 200 W 200W (Tc)

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 190A 190A

上升时间 - 130 ns 130 ns

输入电容(Ciss) - - 5730pF @25V(Vds)

下降时间 - - 48 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 200W (Tc)

正向电压 - 1.30 V -

漏源极电阻 - 2.60 mΩ -

产品系列 - IRF1503S -

漏源击穿电压 - 30.0 V -

封装 - TO-263 TO-263-3

材质 - - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free