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IXFK180N07、IXTA170N075T2、IXTP170N075T2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK180N07 IXTA170N075T2 IXTP170N075T2

描述 TO-264AA N-CH 70V 180AN沟道 75V 170ATrans MOSFET N-CH 75V 170A 3Pin(3+Tab) TO-220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-264-3 TO-263-3 TO-220-3

引脚数 3 - -

通道数 1 1 1

漏源极电阻 - 5.4 mΩ 5.4 mΩ

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 568000 mW 360 W 360 W

漏源极电压(Vds) 70 V 75 V 75 V

漏源击穿电压 - 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 180A 170A -

上升时间 160 ns 11 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 9400pF @25V(Vds) 6860pF @25V(Vds) 6860pF @25V(Vds)

下降时间 60 ns 19 ns 19 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 568W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)

阈值电压 - - 4 V

额定功率(Max) 560 W - -

长度 - 10.41 mm 10.66 mm

宽度 - 9.65 mm 4.83 mm

高度 26.16 mm 4.83 mm 16 mm

封装 TO-264-3 TO-263-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

香港进出口证 - - NLR