IRFSL4410PBF、IRFSL4410ZPBF、SL4对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRFSL4410PBF IRFSL4410ZPBF SL4

描述 TO-262 N-CH 100V 88A晶体管, MOSFET, N沟道, 97 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 4 VPower Field-Effect Transistor, 97A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-262-3 TO-262-3 -

额定功率 - 230 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0072 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 200W (Tc) 230 W -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 4820 pF -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 88A 97A -

上升时间 80 ns 52 ns -

输入电容(Ciss) 5150pF @50V(Vds) 4820pF @50V(Vds) -

下降时间 50 ns 57 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 200W (Tc) 230W (Tc) -

产品系列 IRFSL4410 - -

额定功率(Max) 200 W - -

封装 TO-262-3 TO-262-3 -

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -