BSS135、TN2540N3-G、TN5335K1-G对比区别
型号 BSS135 TN2540N3-G TN5335K1-G
描述 SIPMOS小信号晶体管（ N沟道耗尽型高动态电阻） SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 175 mA, 400 V, 8 ohm, 10 V, 2 V晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 110 mA, 350 V, 15 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Microchip (微芯) Microchip (微芯)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 SOT-54 TO-92-3 SOT-23-3
额定功率 - 1 W 0.36 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 8 Ω 15 Ω
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 - 1 W 0.36 W
阈值电压 - 2 V 2 V
漏源极电压(Vds) 600 V 400 V 350 V
连续漏极电流(Ids) 0.08A 0.175A 0.11A
上升时间 - 15 ns 15 ns
输入电容(Ciss) - 125pF @25V(Vds) 110pF @25V(Vds)
下降时间 - 20 ns 25 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1W (Ta) 360mW (Ta)
封装 SOT-54 TO-92-3 SOT-23-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 - Bag Tape & Reel (TR)
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - 无铅 无铅